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| Artikel-Nr.:
3794E-1923498 Herst.-Nr.:
C3M0032120K EAN/GTIN:
5059045393009 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 63 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 32 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 283 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -8 V, 19 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –40 °C
1200 V VBR (Minimum) über den gesamten Betriebstemperaturbereich [-40 °C - 175 °C] +15 V Gate-Ansteuerspannung Niederohmiges Gehäuse mit Kelvin-Quellstift >8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückkehrwiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben Anwendungen Solar- und Energiespeichersysteme Laden von Elektrofahrzeugen Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) Motorsteuerung und Antriebe Schaltnetzteile (SMPS) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 63 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 32 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.6V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 283 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -8 V, 19 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1923498, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C3M0032120K, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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