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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 168 W, 3-Pin TO N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1924809
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGWT20H65FB
EAN/GTIN:
     5059045389255
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 168 W
Gehäusegröße = TO
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
40 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
168 W
Gehäusegröße:
TO
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt, 1924809, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGWT20H65FB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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