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| Artikel-Nr.:
3794E-193464 Herst.-Nr.:
IXFN102N30P EAN/GTIN:
5059041201957 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 86 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 570 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 86 A | Drain-Source-Spannung max.: | 300 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 33 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 570 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 193464, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN102N30P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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