Startseite > Elektronik, Elektrotechnik > Aktive Bauelemente > Gleichrichter Transistoren Dioden > Transistor > MOSFET > Artikel

IXYS HiperFET, Polar IXFH69N30P N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 230 Vac, 3-Pin TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-193543

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXFH69N30P

EAN/GTIN:
5059045894032

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 69 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 49 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 230 Vac
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 156 nC @ 10 V
Höhe = 21.46mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	69 A
Drain-Source-Spannung max.:	300 V
Gehäusegröße:	TO-247
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	49 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Verlustleistung max.:	230 Vac
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	156 nC @ 10 V
Höhe:	21.46mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: 193543, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH69N30P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

Die Konditionen im Überblick¹

Lieferzeit

Lagerstand

Preis

ab CHF 8.61*

Preis gilt ab 3’000 Stück

Konditionen selbst auswählen

Artikel empfehlen

Artikel merken

Staffelpreise

Bestellmenge	Netto	Brutto	Einheit

1 Stück	CHF 12.93*	CHF 13.98	pro Stück
ab 5 Stück	CHF 12.53*	CHF 13.54	pro Stück
ab 10 Stück	CHF 10.36*	CHF 11.20	pro Stück
ab 20 Stück	CHF 10.22*	CHF 11.05	pro Stück
ab 3000 Stück	CHF 8.61*	CHF 9.31	pro Stück