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| Artikel-Nr.:
3794E-194130 Herst.-Nr.:
IXFN82N60P EAN/GTIN:
5059041484831 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,04 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET, Polar
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 72 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 75 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,04 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HiperFET, Polar |
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| Weitere Suchbegriffe: 194130, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN82N60P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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