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IXYS HiperFET, Polar IXFH16N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 16 A 300 W, 3-Pin TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-194524

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXFH16N50P

EAN/GTIN:
5059041201070

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 16 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 43 nC @ 10 V
Serie = HiperFET, Polar

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	16 A
Drain-Source-Spannung max.:	500 V
Gehäusegröße:	TO-247
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	400 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5.5V
Verlustleistung max.:	300 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	43 nC @ 10 V
Serie:	HiperFET, Polar

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Weitere Suchbegriffe: 194524, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH16N50P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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