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| Artikel-Nr.:
3794E-1949072 Herst.-Nr.:
CY14B104LA-ZS25XI EAN/GTIN:
5059045330035 |
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| Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 512K x 8 bit
Interface-Typ = Parallel
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 45ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 44
Abmessungen = 18.51 x 10.26 x 1.04mm
Länge = 18.51mm
Breite = 10.26mm
Höhe = 1.04mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Wörter = 512K
Der Cypress CY14B104LA/CY14B104NA ist ein schneller statischer RAM (SRAM) mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist in 512 KB mit jeweils 8 Bit oder 256 KB mit jeweils 16 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige, nicht flüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen QuantumTrap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nicht flüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Betrieb) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar. Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 4MBit | Organisation: | 512K x 8 bit | Interface-Typ: | Parallel | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 45ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TSOP | Pinanzahl: | 44 | Abmessungen: | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | Länge: | 18.51mm | Breite: | 10.26mm | Höhe: | 1.04mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 V | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Wörter: | 512K |
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| Weitere Suchbegriffe: NVSRAM Speicher, nv ram, 1949072, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, CY14B104LAZS25XI, Semiconductors, Memory Chips |
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