|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1952497 Herst.-Nr.:
NTHL027N65S3HF EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 27,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.3V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 75 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 27,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 595 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.3V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1952497, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTHL027N65S3HF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |