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Vishay TrenchFET® Gen IV SIR150DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2006845
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR150DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 45 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00271 Ω, 0,00397 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TrenchFET® Gen IV
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
110 A
Drain-Source-Spannung max.:
45 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,00271 Ω, 0,00397 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
TrenchFET® Gen IV
Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 2006845, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIR150DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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