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STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2014417
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGWA30HP65FB2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 167 W
Gehäusegröße = To-247 lange Leitungen
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Serie
Weitere Informationen:
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Verlustleistung max.:
167 W
Gehäusegröße:
To-247 lange Leitungen
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Serie
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2014417, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGWA30HP65FB2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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