Infineon SDRAM DDR-Speicher 64MBit 8 M x 8 DDR 200MHz 8bit Bits/Wort 35ns FBGA 24-Pin, 1,7 V bis 2 V

Speicher Größe = 64MBit
Organisation = 8 M x 8
Datenumfang = 200MHz
Datenbus-Breite = 8bit
Adressbusbreite = 16bit
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 35ns
Anzahl der Wörter = 8M
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = FBGA
Pinanzahl = 24
Abmessungen = 8 x 6 x 1mm
Höhe = 1mm
Länge = 8mm
Breite = 6mm

Der Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 ist ein 64-MB-HyperRAM, ein Hochgeschwindigkeits-CMOS, selbstaktualisernder DRAM, mit HyperBus-Schnittstelle. Das Array des DRAM verwendet dynamische Zellen, die eine regelmäßige Aktualisierung erfordern. Die Refresh-Steuerungslogik, die sich innerhalb des Geräts befindet, verwaltet die Refresh-Operationen auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom Master (Host) der HyperBus-Schnittstelle gelesen oder geschrieben wird. Das DRAM-Array erscheint dem Host, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Aktualisierung speichern, da der Host keine Aktualisierungsvorgänge verwalten muss. Daher wird dieser Speicher genauer aufgerufen oder kann als Pseudo Static RAM (PSRAM) beschrieben werden.Temperaturbereich: –40 °C bis +85°C Schnittstellenbandbreite (MBps): 400 Mbit/s. RoHS-kompatibel