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onsemi IGBT / 50 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2025673
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     AFGHL50T65SQ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30.0V
Verlustleistung max. = 268 W
Gehäusegröße = TO-247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±30.0V
Verlustleistung max.:
268 W
Gehäusegröße:
TO-247
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2025673, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, AFGHL50T65SQ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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