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| Artikel-Nr.:
3794E-2025675 Herst.-Nr.:
AFGHL50T65SQD EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30.0V
Verlustleistung max. = 268 W
Gehäusegröße = TO-247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der on Semiconductor Field Stop Trench IGBT bietet die optimale Leistung für harte und weiche Schalttopologien in der Automobilindustrie. Es handelt sich um einen eigenständigen IGBT.AEC-Q101-qualifiziert Hohe Strombelastbarkeit Schnelle Schaltgeschwindigkeit Enge Parameterverteilung RoHS-konform Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±30.0V | Verlustleistung max.: | 268 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2025675, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, AFGHL50T65SQD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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