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STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 50 W, 3-Pin TO-220FP


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2049873
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGF30H65DFB2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 50 W
Gehäusegröße = TO-220FP
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
50 W
Gehäusegröße:
TO-220FP
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2049873, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGF30H65DFB2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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