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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 147 W, 3-Pin TO-220


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2049875
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGP20H65DFB2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 147 W
Gehäusegröße = TO-220
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
40 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
147 W
Gehäusegröße:
TO-220
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-220, 2049875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGP20H65DFB2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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