Microchip 2-Channel Gate Driver Core Evaluierungsplatine, High Performance SiC Gate Driver Core MOSFET-Gate-Ansteuerung

Funktion für Stromüberwachungseinheiten = MOSFET-Gate-Ansteuerung
Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine
Vorgestelltes Gerät = 2-Channel Gate Driver Core
Kit-Name = High Performance SiC Gate Driver Core

Der Microchip AgeSwitch 1200 V Dual-Channel-erweiterte Hochleistungs-SiC-Kern 1 ermöglicht eine bessere Steuerung und den Schutz der meisten SiC MOSFET-basierten Stromversorgungssysteme. Er liefert bis zu 10 A Peak Current bei einer Betriebsfrequenz von 100 kHz. Der hohe CMTI-Gate-Antriebskern umfasst einen isolierten DC/DC-Wandler und eine Isolierungsbarriere mit niedriger Kapazität für PWM-Signale und Fehlerrückmeldung. Das Intelligent Configuration Tool (ICT) ermöglicht es dem Benutzer, die Gate-Treiberparameter entsprechend seiner Anwendung zu konfigurieren, ohne sich um den Wechsel der Hardware kümmern zu müssen.Robustes Design mit hoher Störfestigkeit Isolierte Temperaturüberwachung, PWM Isolierte Hochspannungsüberwachung, PWM Kompakter Formfaktor von 40 mm x 61 mm 2 x 3 W Ausgangsleistung Bis zu 7 einzigartige Fehlerzustände Unterspannungsabschaltung des Netzteils (UVLO) Überspannungsabschaltung des Netzteils (OVLO) Einstellungen zur Entsättigungserkennung Totzeit Fehlersperreinstellungen Einstellungen für automatisches Zurücksetzen