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IGBT / 115 A ±20V max. , 650 V 357 W, 4-Pin TO-247


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2066063
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGW75H65DFB2-4
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 115 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 357 W
Gehäusegröße = TO-247
Pinanzahl = 4
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
115 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
357 W
Gehäusegröße:
TO-247
Pinanzahl:
4
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2066063, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGW75H65DFB24, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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