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| Artikel-Nr.: 3794E-2066063 Herst.-Nr.: STGW75H65DFB2-4 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 115 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 357 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 4 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 115 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 357 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Pinanzahl: | 4 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2066063, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGW75H65DFB24, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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