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| Artikel-Nr.:
3794E-2067206 Herst.-Nr.:
STGWA100H65DFB2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 145 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 441 W
Gehäusegröße = TO-247
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 100 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen.Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C. Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 100 A Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse Minimierter Endstrom Enge Parameterverteilung Niedriger Wärmewiderstand Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 145 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 441 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2067206, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGWA100H65DFB2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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