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| Artikel-Nr.:
3794E-2068629 Herst.-Nr.:
STGW75H65DFB2-4 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 115 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 357 W
Gehäusegröße = TO-247
Pinanzahl = 4
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C. Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse Minimierter Endstrom Enge Parameterverteilung Niedriger Wärmewiderstand Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient Ausgezeichnete Schaltleistung dank des extra treibenden Kelvin-Stifts Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 115 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 357 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Pinanzahl: | 4 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2068629, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGW75H65DFB24, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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