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| Artikel-Nr.:
3794E-2069725 Herst.-Nr.:
TK090N65Z,S1F(S EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TK090N65Z Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,09 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TK090N65Z |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 2069725, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK090N65Z,S1F(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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