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Mitsubishi IGBT-Modul / 100 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2074975
Hersteller:
     Mitsubishi
Herst.-Nr.:
     PM100CG1B120#300G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module mitsubishi
Dauer-Kollektorstrom max. = 100
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Anzahl an Transistoren = 6
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = 3-phasig

Die intelligente Modulleistung Mitsubishi Electric 1200 V verfügt über einen Hochleistungs- und hochzuverlässigen IGBT mit sechs Treibern pro Modul. Er hat 150 A maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom und in diesem Fehlerausgangssignal ist von jedem Arm des IPM mit Schutz oben und unten erhältlich.Einführung eines Vollgatter-CSTBT-Chips Ausgabe eines Fehlersignals, das dem anormalen Zustand entspricht
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
100
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Anzahl an Transistoren:
6
Gehäusegröße:
Modul
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Transistor-Konfiguration:
3-phasig
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2074975, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, PM100CG1B120#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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