STMicroelectronics SMD Diode, 1200V / 10A, 3-Pin DPAK HV 2L

Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = DPAK HV 2L
Dauer-Durchlassstrom max. = 10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Die STMicroelectronics 10 A, 1200 V SiC-Diode ist eine extrem leistungsstarke Schottky-Diode. Die Diode ist aus einem Siliziumkarbid-Substrat gefertigt. Das Material mit breitem Bandabstand ermöglicht die Konstruktion einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 1200 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion wird beim Ausschalten keine Wiederherstellung angezeigt und Klingelmuster sind unerheblich. Das minimale kapazitive Ausschaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur.Keine oder geringe Sperrverzögerung Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur Robuste Hochspannungsumgebung Betriebstemperatur Tj von –40 °C bis 175 °C Niedrige VF DPAK HV Kriechstrecke (Anode zu Kathode) = min. 3 mm ECOPACK2-konform