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| Artikel-Nr.:
3794E-2122106 Herst.-Nr.:
STGW100H65FB2-4 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 145 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 441 W
Gehäusegröße = To247-4
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 4
Transistor-Konfiguration = Einfach
IGBTDie Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.Minimierter Endstrom Enge Parameterverteilung Niedriger Wärmewiderstand Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 145 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 441 W | Gehäusegröße: | To247-4 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 4 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2122106, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGW100H65FB24, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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