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| Artikel-Nr.:
3794E-2144355 Herst.-Nr.:
IPA80R1K4CEXKSA2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS CE
Dieser Infineon CoolMOSE CE MOSFET verwendet revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs. Die Hochspannungsfähigkeit kombiniert Sicherheit mit Leistung und Robustheit, um stabile Designs auf höchstem Effizienzniveau zu ermöglichen.Er ist RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,4 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS CE |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2144355, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA80R1K4CEXKSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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