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Infineon CoolMOS CE IPD80R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2144396
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD80R1K4CEATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS CE
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
3,9 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
1,4 Ω
Gate-Schwellenspannung max.:
3.9V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
CoolMOS CE
Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2144396, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD80R1K4CEATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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