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| Artikel-Nr.: 3794E-2144448 Herst.-Nr.: IRF3205ZLPBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 110 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = I2PAK (TO-262) Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0065 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = HEXFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | I2PAK (TO-262) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0065 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 110a, 2144448, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF3205ZLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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