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onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2148781
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     AFGHL75T65SQ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 375 W
Gehäusegröße = TO-247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
75 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
375 W
Gehäusegröße:
TO-247
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2148781, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, AFGHL75T65SQ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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