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| Artikel-Nr.:
3794E-2149000 Herst.-Nr.:
IPA60R280P7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,28 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS P7
Die Infineon CoolMOS 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600-V-CoolMOS-P7-Serie ist der Nachfolger der CoolMOS-P6-Serie. Er kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr niedriger Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Gehäusediode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und viel kühler.Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte Geeignet für hartes und weiches Schalten aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,28 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2149000, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R280P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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