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Infineon OptiMOS IPD30N06S223ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2149036
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD30N06S223ATMA2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,023 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = OptiMOS
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
30 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
TO-252
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,023 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
OptiMOS
Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 2149036, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD30N06S223ATMA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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