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Infineon CoolMOS CE IPD50R650CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 9 A, 3-Pin TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2149041
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD50R650CEAUMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,65 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS CE
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
9 A
Drain-Source-Spannung max.:
500 V
Gehäusegröße:
TO-252
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,65 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
CoolMOS CE
Weitere Suchbegriffe: 2149041, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD50R650CEAUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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