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| Artikel-Nr.: 3794E-2149045 Herst.-Nr.: IPD65R1K0CEAUMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,2 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = CoolMOS™ CE Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ CE | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2149045, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD65R1K0CEAUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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