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| Artikel-Nr.:
3794E-2149051 Herst.-Nr.:
IPD80R3K3P7ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,3 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS P7
Die neueste 800-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Art von Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18-jährigen bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt. Diese sind einfach zu steuern und parallel zu betreiben, was Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten ermöglicht. Diese werden für harte und weiche Schalt-Fly-Back-Topologien für LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter mit geringer Leistungsaufnahme, Audio, AUX-Leistung und industrielle Leistung empfohlen.Es wird mit vollständig optimiertem Portfolio geliefert Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-252 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,3 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2149051, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD80R3K3P7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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