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| Artikel-Nr.:
3794E-2149079 Herst.-Nr.:
IPL65R130C7AUMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 15 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 0,13 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.Einfach zu verwenden/zu treiben durch Treiberquellen-Pin für bessere Leistung Steuerung des Tores Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 15 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ C7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,13 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2149079, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPL65R130C7AUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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