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| Artikel-Nr.:
3794E-2149095 Herst.-Nr.:
IPP60R180C7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,18 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = CoolMOS C7
Die Infineon CoolMOS-Serie ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für hartes und weiches Schalten geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC Geeignet für hartes und weiches Schalten Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,18 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | CoolMOS C7 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 2149095, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP60R180C7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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