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| Artikel-Nr.: 3794E-2149119 Herst.-Nr.: IPW65R125C7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolMOS C7 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,125 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS C7 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2149119, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW65R125C7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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