HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 21 A, 6-Pin DirectFET ISOMETRISCH

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRISCH
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0,036 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET

Die Infineon Automotive DirectFET ® -Leistungs-MOSFET-Serie hat eine maximale Drain-Quellspannung von 60 V mit 20 A maximalem Dauerstromstrom in einem DirectFET Small Can Gehäuse. Der AUIRF7640S2TR/TR1 kombiniert die neueste KFZ-HEXFET ® -Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced DirectFET ® -Verpackungsplattform, um ein erstklassiges Teil für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D zu produzieren. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Optimiert für Audioverstärker der Klasse D und Hochgeschwindigkeitsschalten Anwendungen Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit Bleifrei, RoHS- und halogenfrei