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| Artikel-Nr.:
3794E-2152509 Herst.-Nr.:
IPD70R600P7SAUMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 700V CoolMOS™ P7
Die Infineon 700V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können. Die neueste CoolMOS\P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten istExtrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Integrierte ESD-Schutzdiode Geringe Schaltverluste (Eoss) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,6 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 700V CoolMOS™ P7 |
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