|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2152584 Herst.-Nr.:
IRF7831TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0036 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Er verfügt über einen synchronen Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für Anwendungen in Netzwerk- und Computersystemen.RoHS-kompatibel Branchenführende Qualität Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben Besonders niedrige Gate-Impedanz Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 21 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0036 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.35V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2152584, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7831TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |