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HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 21 A, 8-Pin SO-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2152586
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF7831TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0036 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
21 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SO-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0036 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.35V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2152586, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7831TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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