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| Artikel-Nr.:
3794E-2152596 Herst.-Nr.:
IRFR120ZTRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,19 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Die Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET-Serie nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Sehr niedriger Einschaltwiderstand Fast Switching Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt Ohne Leitung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,19 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2152596, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFR120ZTRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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