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HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2152599
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFR540ZTRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0285 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
35 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0285 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2152599, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFR540ZTRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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