HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 42 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,027 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET

Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale Ableitquellspannung von 55 V und ist ein einzelner N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäusetyp. Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D-Pack wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Sehr niedriger Einschaltwiderstand Bleifrei Vollständig lawinengeprüft