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Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2156608
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     AIGW40N65H5XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V
Verlustleistung max. = 250 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate und hoher Geschwindigkeit der H5-Technologie von Infineon bietet einen erstklassigen Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
74 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20 V, ±30 V
Verlustleistung max.:
250 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-3
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156608, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AIGW40N65H5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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