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Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin PG-TO247-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2156622
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     AIKW75N60CTXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 428 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und positivem Temperaturkoeffizient in der Sättigungsspannung.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
428 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-3
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156622, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AIKW75N60CTXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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