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| Artikel-Nr.: 3794E-2156624 Herst.-Nr.: AUIRGP4062D-E EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = TO-247AD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und ultraschneller Soft-Recovery-Diode.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 48 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30 V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | TO-247AD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156624, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRGP4062DE, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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