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Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2156645
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IHW50N65R5XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 282 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
282 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-3
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156645, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IHW50N65R5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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