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Infineon IGBT / 79 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO263-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2156655
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKB40N65ES5ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 79 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V
Verlustleistung max. = 230 W
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Pinanzahl = 3

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation der Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
79 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20 V, ±30 V
Verlustleistung max.:
230 W
Gehäusegröße:
PG-TO263-3
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156655, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKB40N65ES5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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