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Infineon IGBT / 34 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 111 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI


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Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2156659
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKFW40N60DH3EXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V
Verlustleistung max. = 111 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3-AI
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Isoliert

Die Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie mit isoliertem Gate-Bipolartransistor, schnelle und weiche antiparallele Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
34 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20 V, ±30 V
Verlustleistung max.:
111 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-3-AI
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156659, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKFW40N60DH3EXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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