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| Artikel-Nr.:
3794E-2156660 Herst.-Nr.:
IKFW60N60DH3EXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 53 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V
Verlustleistung max. = 141 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3-AI
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gatter, kopiert mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 53 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30 V | Verlustleistung max.: | 141 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3-AI | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156660, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKFW60N60DH3EXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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