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| Artikel-Nr.: 3794E-2156671 Herst.-Nr.: IKW30N65H5XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 55 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 188 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Der isolierte Infineon-650-V-Zweitack-Bipolartransistor ist eine Diode der 5. Generation der Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 55 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30 V | Verlustleistung max.: | 188 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156671, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW30N65H5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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